(1)液晶电容和存储电容
    根据tft液晶屏的结构可知，在上下两层玻璃问夹着液晶，液晶是容性材料，其等效电容一般称为液晶电容clc，它的大小约为0．1pf，但是实际应用上，这个电容并无法将电压保持到下一次再更新画面数据的时候，也就是说当tft对这个电容充好电时，它并无法将电压保持住， 直到下一次tft再对此点充电的时候(以一般60hz的画面更新频率，需要保持约16ms的时间)，这样一来，电压有了变化，所显示的灰阶就会不正确，因此，一般在面板的设计上，会再加一个储存电容c。(一般由像素电极与公共电极走线形成)，其容量约为0．5pf，以便让充好电的电压能保持到下一次更新画面的时候。

    (2)薄膜晶体管(tft)
    薄膜晶体管简称tft器件，也称tft开关管，它是基于场效应管的原理制作而成的，也就是说，tft器件是一种利用电场效应来控制电流的管子。因为参与导电的只有一种极性的载流子，所以，tft器件是一种单极性器件。tft器件也有3个电极，即源极s(相当于三极管的e极)、栅极g(相当于三极管的b极)和漏极d(相当于三极管的c极)。但二者的控制特性却截然不同，三极管是电流控制器件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，即需要信号源提供一定的电流才能工作，因此，它的输入电阻较低；tft器件则是电压控制器件它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以，它的输入阻抗很高。此外，tft器件还具有开关速度快、高频特性好、热稳定性好、噪声小等优点。tft器件主要有a-si(非晶硅)和p-si(多晶硅)两种，其中，p-si(多晶硅)处于起步和发展阶段，a-si则应用比较广泛。图1-3所示是a-si非晶硅tft器件内部结构示意图和电路符号。
    tft器件工作时，像一个电压控制的双向开关，当栅极g不施加电压时，tft器件处于截止状态(关断状态)，即源极s与漏极d不能接通，此时栅极g与源极s(或漏极d)之间的电阻称为关断电阻roff。由于栅极g的漏电流极小或没有，所以，roff非常高，一般为107ω以上。当在栅极g上施加一个大于其导通电压的正电压时，由于电场的作用，tft器件(a)tft器件的结构(b)tft器件的符号将处于导通状态，即源极s与漏极d接通，此时源极s与漏极d之间的电阻称为导通电阻ron，它随栅极电压的增加而减小。对于tft器件，其源极s和漏极d特性一样，功能可以互换，源极s和漏极d之间电流方向随它们之间电场方向的变化而变化。源极和漏极是在应用电路中被定义的，一般将输入信号端称为源极s，将

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